Vishay SIR862DP-T1-GE3
$ 0.658
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SIR862DP-T1-GE3 | 9.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SIR862DP-T1-GE3CT-ND | 2.985 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR862DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 18h | ||||||||
| TTI | SIR862DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 8h | |||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | SIR862DP-T1-GE3 | 0 | 300 | Bulk | 22h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.37%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR862DP-T1-GE3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cur
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
STMicroelectronicsSTS26N3LLH6
N-Channel 30 V 0.0044 Ohm SMT STripFET VI DeepGATE Mosfet SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR862DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SIR862DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 32 A, 25 V, 8-PIN POWERPAK SO
N Channel 25 V 50 A 2.8 mO 28.4 nC Surface Mount Mosfet -PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5.2W(Ta),69W(Tc) 20V 2.3V@ 250¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 25V 2.8m¦¸@ 15A,10V 50A 3.8nF@10V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.37%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max2.8 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR862DP-T1-GE3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen