Infineon BSC032NE2LSATMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
InfineonBSC030N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC032NE2LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
2.5W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.2m¦¸@ 10V 84A 1.2nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON T/R
Compliant Surface Mount Contains Lead Tape & Reel 2.8 ns 3.2 mΩ Halogen Free
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, N-CH, 25V, 84A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 84A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 37W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.2 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation37 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen