Infineon AUIRLR3410
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6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vds)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
17 A
17 A
17 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
105 mΩ
105 mΩ
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
79 W
52 W
52 W
Input Capacitance
800 pF
800 pF
800 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRLR3410TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 105 Milliohms, TO-252AA (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRLR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRLR3410TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
onsemiHUFA76619D3ST
75W(Tc) 3V@ 250µA 29nC@ 10V 1individualNChannel 100V 85mΩ@ 18A,10V 767pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRLR3410, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 100V, 17A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRLR3410
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
79W(Tc) 16V 2V@ 250µA 34nC@ 5 V 1individualNChannel 100V 105mΩ@ 10A,10V 800pF@25V DPAK，TO-252AA SMD mount 2.52mm(height)
; Operating Temperature Max:175°C; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:17A
MOSFET,N CH,SCH DIODE,100V,17A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:79W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17A; Power Dissipation Pd:79W; Voltage Vgs Max:16V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance800 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation79 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen