onsemi HUFA76619D3ST
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
InfineonIRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRLR3410TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Diodes Inc.DMN10H099SK3-13
Diodes Incorporated N-Channel MOSFET, Vds=100V, 17A, DPAK (TO-252), SMD, 3-Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76619D3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75W(Tc) 3V@ 250µA 29nC@ 10V 1individualNChannel 100V 85mΩ@ 18A,10V 767pF@25V TO-252AA SMD mount
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
PWR MOS 100V/18A/0.087 OHM N-CH LOGIC LVL TO-252AA T&R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance89 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance767 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen