Infineon AUIRL3705ZL
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Stock
79,962
232,170
Authorized Distributors
4
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
130 W
130 W
Input Capacitance
2.88 nF
2.88 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRL3705ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262 / N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
InfineonAUIRF1010ZL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package
InfineonIRF3205LPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRL3705ZL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 40 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,75A,TO262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:130W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:16V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time240 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen