Infineon IRF3205LPBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Verwandte Teile
InfineonIRFSL7440PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFZ46NLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;TO-262;PD 107W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3205LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 55V 110A TO262 N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Mosfet, N-Ch, 55V, 110A, To-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF3205LPBF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating110 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.247 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time101 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen