Infineon AUIRFZ44N
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$ 0.485
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1,410,243
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount, Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
49 A
49 A
49 A
Threshold Voltage
2 V
2.1 V
2.1 V
Rds On Max
17.5 mΩ
17.5 mΩ
17.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
94 W
83 W
83 W
Input Capacitance
1.47 nF
1.47 nF
1.47 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRFZ44NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;TO-220AB;PD 94W;-55deg
InfineonIRFZ46NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 53A;TO-220AB;PD 107W;-55de
InfineonIRFZ44ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11.1 Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 80W;-55deg
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ44N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
94W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 63nC@ 10 V 1N 55V 17.5m¦¸@ 25A,10V 49A 1.47nF@25V TO-220AB 16.51mm
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 55V, 49A, TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 55V, 49A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; MSL:-;RoHS Compliant: Yes
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance17.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.47 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation94 W
Rds On Max17.5 mΩ
Rise Time69 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen