Infineon AUIRFR5410TRL
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Stock
250,432
2,925,036
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
-
-4 V
Rds On Max
205 mΩ
205 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
66 W
66 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Verwandte Teile
InfineonIRFR5410TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W
onsemiHUF76609D3S
10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR5410TRL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 -100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -100V, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance205 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation66 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance205 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation66 W
Rds On Max205 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen