Infineon AUIRFB4410
$ 0.38
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFB4410 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon AUIRFB4410 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.38
$ 0.904
Stock
106,904
281,148
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
10 mΩ
10 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
200 W
Input Capacitance
5.15 nF
5.15 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRFB4410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V
InfineonIRFB4410ZGPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFB4410, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Trans MOSFET N-CH 100V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,W DIO,N CH,100V,75A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:200W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity1000
PackagingRail/Tube
Power Dissipation200 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time80 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFB4410 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen