Infineon IRFB4410ZGPBF
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Obsolete
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Stock
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654,224
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
97 A
97 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
Input Capacitance
4.82 nF
4.82 nF
Verwandte Teile
InfineonIRFB4410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V
InfineonAUIRFB4410
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB4410ZGPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
Single N-Channel 100 V 9 mOhm 83 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET, 100V, 97A, 9 MOHM, 83 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, 100V, 97A, TO-220AB; Continuous; MOSFET, 100V, 97A, TO-220AB; Continuous Drain Current Id:97A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:230W
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)97 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time52 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen