Infineon AUIRF7736M2TR
$ 2.014
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF7736M2TR | 35.095 | 15h | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRF7736M2TRCT-ND | 4.999 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | AUIRF7736M2TR | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | AUIRF7736M2TR | 0 | 4800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | AUIRF7736M2TR | 0 | 4800 | 17h |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia, Mexico, Uk
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
Verwandte Teile
InfineonIRFS7440TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7736M2TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R
Single N-Channel 40 V 3 mOhm 72 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
A 40V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET M4 package rated at 108 amperes optimized with low on resistance for applications such as motor drive, high frequency DC-DC and other heavy load systems. Shipped in Tape and Reel o
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, Directfetm4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:108A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0025Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRF7736M2TR
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.267 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time43 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height740 µm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen