Infineon AUIRFS8405
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7440TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
VishaySQM120N04-1M9_GE3
VISHAY SQM120N04-1M9-GE3MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFS8405, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
INFINEON AUIRFS8405 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 40V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:163W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Battery Switch; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; DC-DC; Electric Power Steering; Glowplug; PTC Heater; Relay Replacement
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.193 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation163 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation163 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time128 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen