Infineon AUIRF7343QTR
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$ 1.072
$ 0.501
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Stock
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3,702,963
3,702,963
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
4.7 A
4.7 A
4.7 A
Threshold Voltage
1 V
1 V
1 V
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
740 pF
740 pF
740 pF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2014-10-28
LTD Date2015-04-28
Verwandte Teile
InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMHC4035LSD-13
Mosfet, N/P-Ch, 40V, 4.5A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMHC4035LSD-13
STMicroelectronicsSTS4DNF60L
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 4A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF7343QTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
TAPE AND REEL / Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package
N-P Channel 55 V 3.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,NP CH,55V,4.7A,3.4A,SO8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 4.7A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V;
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance740 pF
Max Junction Temperature (Tj)4.7 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen