Diodes Inc. DMHC4035LSD-13
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC "Mosfet Array 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SOIC"
Diodes Inc.ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMC3A16DN8TC
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMHC4035LSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.5 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/3.7A 8-Pin SO T/R
DiodesZetex N/PChannel EnhancedMOSTube, Vds=40 V, 2.9 A，4.5 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET H-BRIDGE 40V 4.5A/3.7A SOIC8
MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
H-Bridge MOS 40V 4A 45mOhm SO-8
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 40V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道/P沟道, 40V, 4.5A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time15.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance574 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements4
Rds On Max45 mΩ
Rise Time2.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36.3 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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