Infineon AUIRF7103QTR

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
$ 0.738
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
AUIRF7103QTR6951
Rochester ElectronicsAUIRF7103QTR916.195
18h
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRF7103Q0125Bulk
11h
Farnell
2
AUIRF7103QTR14.4195Cut Tape
5h
Component SearchAUIRF7103QTR8.000
20h

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Farnell

Datasheet11 SeitenVor 10 Jahren

Newark

TME

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonAUIRF7103QTR
InfineonIRF7103TRPBF
Price @ 1000
$ 0.738
$ 0.346
Stock
2,118,006
2,707,635
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
50 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
1 V
3 V
Rds On Max
130 mΩ
130 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.4 W
2 W
Input Capacitance
255 pF
290 pF

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon AUIRF7103QTR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 50 V 130 mOhm 10 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Automotive Q101 50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET, NN CH, 50V, 3A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id, N Channel:3A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:50V; Module Configuration:Dual N Channel; On Resistance Rds(on), N Channel:0.13ohm; Power Dissipation Pd:2.4W
element14 APAC
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection
Infineon

Bilder

Infineon
Farnell
TME
element14 APAC
LZChips
International Rectifier
Rochester Electronics
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • AUIRF7103Q
  • AUIRF7103QTR.
  • IRFAUIRF7103Q
  • IRFAUIRF7103QTR
  • SP001517980