Infineon IRF7103PBF
$ 0.66
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRF5803D2TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Diodes Inc.ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7103PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; 0.13ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Dual N-Channel 50 V 0.13 Ohm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:50V; Continuous Drain Current, Id:3A; On Resistance, Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:10A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7103; Termination Type:SMD; Voltage Vds:50V; Voltage Vds Typ:50V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Dual Supply Voltage50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements2
On-State Resistance130 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max130 mΩ
Recovery Time100 ns
Resistance130 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen