Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA

Name: Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8

$ 0.388

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	ZXMN6A11DN8CT-ND	15	1	Cut Tape	1,570	0,992	0,659	0,659	0,659
TME	2	ZXMN6A11DN8TA	487	1		1,261	0,800	0,487	0,345	0,305	13h
Newark		ZXMN6A11DN8TA	0	1	Cut Tape	1,420	0,934	0,652	0,652	0,652
Avnet		ZXMN6A11DN8TA	0	500					0,304	0,292	1d
Future Electronics		ZXMN6A11DN8TA	0	500	Tape & Reel				0,330	0,320

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Farnell

Datasheet6 SeitenVor 6 Jahren

IHS

Newark

TME

Diodes Inc SCT

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-08-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

MOSFET, DUAL, N, 60V, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.2A; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Power Dissipation Pd:1.25W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:13.7A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

TME

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Diodes Incorporated
DIODE
DII
DIO
DIODE INC
DC COMPONENTS
DIOD
YENYO
Diodes Zetex
MICRO COM
MICRO ELECTRONIC INS
Diodes Inc / Zetex
DIODE INCORPORATED
DIODES ZET
DIODSE
DINC
Diodes Inc Inc
DIOINC
FORMOSA MS
DIODES INC(RoHS)
ZETEX (DIODES INC)
DIODES INC/VISHAY
Diodes Incorporation
ZETEXDIODES
DIODES INC/VISH
Pericom
Diodes Incorporated

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight73.992255 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.1 A

Current Rating2.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance140 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Fall Time4.6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance330 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.1 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingCut Tape

Power Dissipation2.1 W

Rds On Max120 mΩ

Resistance120 mΩ

Rise Time3.5 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time8.2 ns

Turn-On Delay Time1.95 ns

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height1.5 mm

Length5 mm

Width4 mm