Infineon AUIRF6215
$ 5.78
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF6215 | 0 | 50 | Bulk | 1d | |||||||
| Farnell | AUIRF6215 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Microchip USA | AUIRF6215 | 216 | 600 | Tube | 2h | |||||||
| Win Source | WS-AUIRF6215 | 20 | 16 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | AUIRF6215 | 16.593 | 7 | Tube | 8h |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 5.78
$ 1.27
Stock
144,715
209,064
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
-150 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
11 A
Threshold Voltage
-2 V
-4 V
Rds On Max
290 mΩ
290 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
83 W
Input Capacitance
860 pF
860 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-09-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Verwandte Teile
InfineonIRFB4019PBF
150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF6215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Trans MOSFET P-CH 150V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET P-Channel 150V 13A HEXFET TO220AB
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,W DIO,P CH,150V,13A,TO220AB; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:-20V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance860 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance290 mΩ
Package Quantity1000
PackagingRail/Tube
Power Dissipation110 W
Rds On Max290 mΩ
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen