Infineon AUIRF540ZS
$ 2.45
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRF540ZS herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon AUIRF540ZS Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 2.45
$ 3.5
Stock
44,889
53,675
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
36 A
36 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
26.5 mΩ
26.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
92 W
92 W
Input Capacitance
1.77 nF
1.77 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF540ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET N-Channel 100V 36A HEXFET D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,100V,36A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:92W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:92W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingRail/Tube
Power Dissipation92 W
Rds On Max26.5 mΩ
Rise Time51 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRF540ZS herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen