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Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDB3672 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-07-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
onsemiHUF75639S3ST
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiHUFA75639S3ST
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
VishaySQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 47 A, 100 V, 2+TAB-PIN TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB3672, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V, 44A, 28M OHMS, TO263, D2PAK,NCH POWER TRENCH MOSFET
N-Channel PowerTrench MOSFET | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Current44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation120 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage100 V
Datenblätter und Dokumente
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