Infineon IRF2805STRLPBF
$ 2.045
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF2805STRLPBF | 800 | 2h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF2805STRLPBF | 0 | 5 | Bulk | 18h | |||||||
| Farnell | IRF2805STRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | IRF2805STRLPBF | 38.187 | 16h | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF2805STRLPBF | 5.600 | 1 | Tape & Reel | 4h |
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Price @ 1000
$ 2.045
$ 2.535
$ 2.535
Stock
163,782
77,738
77,738
Authorized Distributors
3
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
4.7 mΩ
4.7 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
200 W
200 W
Input Capacitance
5.11 nF
5.11 nF
5.11 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRF2805SPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRF2204SPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
STMicroelectronicsSTB100NF04T4
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF2805STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Power FET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 200 W
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N CHANNEL MOSFET, 55V, 135A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:135A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation200 W
Rds On Max4.7 mΩ
Resistance4.7 Ω
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen