Infineon AUIRF1010ZS

Trans MOSFET N-CH 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
$ 4.3
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRF1010ZS02Bulk
10h
FarnellAUIRF1010ZS01
18h
Component Stockers USAAUIRF1010ZS16.525
8h
Win SourceWS-4353392045
18h
Worldway ElectronicsAUIRF1010ZS11.4237Tube
17h

Datenblätter und Dokumente

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Upverter

Datasheet13 SeitenVor 8 Jahren

Newark

IHS

element14 APAC

TME

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonAUIRF1010ZS
InfineonAUIRF1010ZSTRL
Price @ 1000
$ 4.3
$ 2.248
Stock
70,808
41,804
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
94 A
94 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15

Verwandte Teile

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Details
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Details
onsemiHUF75344S3ST
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.008 OHM N-CHANNEL TO-263AB T&R
Details
onsemiHUF75343S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Details
onsemiHUFA75344S3S
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.008 OHM N-CHANNEL TO-263AB
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon AUIRF1010ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
AUTOMOTIVE MOSFET 55V, 94A, 7.5 MOHM, 63 NC QG, D2PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
International Rectifier
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N Channel, 55V, 94A, D2Pak; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(On):0.0058Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V Rohs Compliant: Yes
Newark
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Infineon
MOSFET, N CH, 55V, 94A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:94A; Power Dissipation Pd:140W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

Infineon
TME
RS
Farnell
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • AUIRF1010ZS.
  • IRFAUIRF1010ZS
  • SP001519530