Infineon IRF4104SPBF

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
$ 1.01
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
IRF4104SPBF50.354
18h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF4104SPBF0600Bulk
11h
FarnellIRF4104SPBF01
19h
Mouser942-IRF4104SPBF521Tube
Microchip USAIRF4104SPBF1.1303KTube
11h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Farnell

Factory Futures

Newark

iiiC

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

InfineonAUIRF4104S
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Details
InfineonIPB80N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
Details
InfineonIPB80N04S306ATMA1
40V, N-Ch, 5.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
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onsemiFDB8444
Transistor,mosfet,n-Channel,40V V(Br)Dss,70A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB8444
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onsemiFDB8896
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 93A, 5.7mΩ
Details
onsemiFDB8896-F085
Trans MOSFET N-CH 30V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF4104SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 120 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak
Jameco
MOSFET, N Ch., Automotive, 40V, 120A, 5.5 MOHM, 68 NC QG, D2-PAK, Pb-Free
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 75 V 5.5 mOhm 68 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 140 W
Distrelec
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:120mJ; Capacitance Ciss Typ:3000pF; Current Id Max:75A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:470A; Reverse Recovery Time trr Typ:23ns; SMD Marking:F4104; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
element14 APAC

Bilder

Infineon
element14 APAC
Augswan
Distrelec
TME
Newark
Farnell
Future Electronics
Distrelec
Jameco
Newark
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF4104S
  • IRF4104SPBF.
  • SP001551088