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Infineon IRF4104SPBF

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
$ 1.015
Obsolete
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rutronik
TMOSP11790
10.200
50
USD
0,791
0,791
0,791
3d
Rochester Electronics
2
IRF4104SPBF
50.354
USD
1,210
1,000
0,895
7h
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF4104SPBF
0
600
Bulk
USD
4,970
2,630
21h
Mouser
942-IRF4104SPBF
52
1
Tube
USD
3,160
2,050
1,420
1,030
1,020
Microchip USA
IRF4104SPBF
1.132
3K
Tube
USD
0,759
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

element14 APAC

Factory Futures

Newark

iiiC

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

InfineonAUIRF4104S
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onsemiFDB8896
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 93A, 5.7mΩ
Details
onsemiFDB8896-F085
Trans MOSFET N-CH 30V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF4104SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 120 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak
Jameco (USA)
MOSFET, N Ch., Automotive, 40V, 120A, 5.5 MOHM, 68 NC QG, D2-PAK, Pb-Free
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 75 V 5.5 mOhm 68 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 140 W
Distrelec
140W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 5.5m¦¸@ 75A,10V 75A 3nF@25V D2PAK SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
UnikeyIC
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:120mJ; Capacitance Ciss Typ:3000pF; Current Id Max:75A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:470A; Reverse Recovery Time trr Typ:23ns; SMD Marking:F4104; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
element14 APAC

Bilder

Infineon
element14 APAC
Augswan
Distrelec
TME
Newark
Farnell
Future Electronics
Distrelec
Jameco (USA)
Newark
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF4104S
  • IRF4104SPBF.
  • SP001551088