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Price @ 1000
$ 0.417
$ 0.351
Stock
131,809
114,048
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
50 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
20 V
Power Dissipation
48 W
48 W
Input Capacitance
670 pF
570 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ24NPBF
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi RFP14N05L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 50V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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