Diodes Inc. BSS123TA

BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
$ 0.134
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
BSS123CT-ND12.8741Cut Tape
AvnetBSS123TA6.0003K
16h
Newark
3
BSS123TA135Cut Tape
Arrow ElectronicsBSS123TA3.0003K
VericalBSS123TA3.0003K

Datenblätter und Dokumente

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Diodes Inc SCT

Technical Drawing5 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Future Electronics

Newark

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.BSS123TA
onsemiBSS123LT1G
onsemiBSS123LT1G
Price @ 1000
$ 0.134
$ 0.075
$ 0.075
Stock
1,351,948
77,770,314
77,770,314
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
170 mA
170 mA
170 mA
Threshold Voltage
1.4 V
800 mV
800 mV
Rds On Max
6 Ω
6 Ω
6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
360 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
20 pF
20 pF
20 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Surface Mount
Details
InfineonBSS169H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 2.9 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. BSS123TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET,N CH,100V,0.17A,SOT23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:170mA; Power Dissipation Pd:300mW; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

RS APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
element14
TME
TME
element14
Farnell
Onlinecomponents.com
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated