onsemi BSS123LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSS123LT1G | 1.551.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | BSS123LT1G | 108.601 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSS123LT1G | 8.197 | 1 | |||||||||
| Verical | BSS123LT1G | 2.379.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | BSS123LT1G | 2.112.000 | 3K | Tape & Reel |
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Stock
78,931,065
44,230,136
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
170 mA
170 mA
170 mA
Threshold Voltage
800 mV
1.7 V
1.7 V
Rds On Max
6 Ω
6 Ω
6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
225 mW
360 mW
360 mW
Input Capacitance
20 pF
73 pF
73 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonBSS123NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 6 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
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N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
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Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
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MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 / Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BSS123LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 6ohm; 225mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
BSS123L: Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23
Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
MOSFET, POWER; N-CH; VDSS 100VDC; 5 OHMS; 0.17A; SOT-23; PD 225MW; 3K REEL
ON Semiconductor BSS123LT1G MOSFET N-channel SOT-23 Tape Full reel
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET, N CH, 100V, 170MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 170mA; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10VDC; Threshold Voltage Vgs: 800m
N Channel, Mosfet, 100V, 170Ma, Sot-23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:170Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):6Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10Vdc |Onsemi BSS123LT1G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Current Rating170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance20 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs20 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation225 mW
Rds On Max6 Ω
Resistance6 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen