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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiBSS123LT1G

onsemiBSS123

Price @ 1000

$ 0.087

$ 0.105

Stock

63,800,795

31,947,572

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

170 mA

Threshold Voltage

800 mV

1.7 V

Rds On Max

6 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

225 mW

360 mW

Input Capacitance

20 pF

73 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BSS123LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 6ohm; 225mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100

Maritex

BSS123L: Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23

North Star Micro

Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23

onsemi

onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=100 V, 170 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin

UnikeyIC

MOSFET, POWER; N-CH; VDSS 100VDC; 5 OHMS; 0.17A; SOT-23; PD 225MW; 3K REEL

RS (Formerly Allied Electronics)

Mosfet Transistor, N Channel, 170 Ma, 10; |Onsemi BSS123LT1G

Newark

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 100V, 170MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 170mA; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10VDC; Threshold Voltage Vgs: 800m

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BSS123LT1G??????????

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -24.76%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)170 mA

Current Rating170 mA

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance20 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs20 V

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation225 mW

Rds On Max6 Ω

Resistance6 Ω

Schedule B8541210080

Threshold Voltage800 mV

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height1.01 mm

Length3.04 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BSS123LT1G herunter.