Vishay SI2369DS-T1-GE3

Name: Vishay SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2369DS-T1-GE3

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

$ 0.236

Production

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	70AC6498	299	3K						0.275	2d
Newark	2	SI2369DS-T1-GE3	160	1	Cut Tape	0.291	0.291	0.275	0.275	0.275
TME	2	SI2369DS-T1-GE3	4	1		0.770	0.520	0.293	0.195	0.195	17h
TTI		SI2369DS-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.134	22h
Future Electronics		SI2369DS-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.181

数据表和文档

下载 Vishay SI2369DS-T1-GE3 的数据表和制造商文档。

Farnell

Datasheet9 页5 年前

Datasheet10 页12 年前

Upverter

element14 APAC

Newark

库存历史记录

3 个月趋势:

-99.94%

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Vishay SI2369DS-T1-GE3 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
Component Search Engine	符号封装	3D	下载
EE Concierge	符号封装
Ultra Librarian	符号封装		下载

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-09-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI2369DS-T1-GE3 的描述。

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -

Farnell