STMicroelectronics STB33N60DM2

Name: STMicroelectronics STB33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB33N60DM2

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

$ 2.076

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	497-16354-1-ND	868	1	Cut Tape	5.630	3.746	2.678	2.400	2.400
Avnet		STB33N60DM2	0	1K					1.985	1.901	4h
Future Electronics		STB33N60DM2	0	1K	Tape & Reel				2.660	2.620
Arrow Electronics		STB33N60DM2	0	1K					2.265	2.133
Farnell	2	STB33N60DM2	0	1K	Custom Reel				2.343*	2.343*	1d

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Newark

Datasheet20 页10 年前

STMicroelectronics

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STB33N60DM2 的描述。

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK / N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Win Source

N-Channel 600 V 130 mOhm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 43nC@ 10 V 1N 600V 130m¦¸@ 12A,10V 24A 1.87nF@100V D2PAK,TO-263

UnikeyIC

MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Farnell

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic