STMicroelectronics STB28N60DM2

Name: STMicroelectronics STB28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB28N60DM2

N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

$ 1.66

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	497-16349-1-ND	357	1	Cut Tape	4.560	3.006	2.121	1.808	1.808
Future Electronics		STB28N60DM2	0	1K	Tape & Reel				1.970	1.940
Avnet		STB28N60DM2	0	1K					1.562	1.404	4h
Arrow Electronics		STB28N60DM2	0	1K					1.680	1.581
Farnell	2	STB28N60DM2	0	1	Cut Tape	5.898*	4.522*	3.909*	2.819*	2.819*	1d

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STMicroelectronics

Datasheet20 页10 年前

Newark

STMicroelectronics SCT

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-10-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STB28N60DM2 的描述。

N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

170W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 600V 160m¦¸@ 10.5A,10V 21A 1.5nF@100V D2PAK

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 170W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Farnell