Vishay SUD50P04-08-GE3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTD100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD70N10F4
N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK
Descrições
Descrições de Vishay SUD50P04-08-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8.1 MilliOhms, TO-252AA, 3 Pins, Surface Mount
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK / Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0081ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, P Channel, -40V, -50A, To-252-3; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUD50P04-08-GE3.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance8.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.38 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation73.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.1 mΩ
Resistance8.1 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.507 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade