STMicroelectronics STD70N10F4
$ 0.865
EOL
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD70N10F4 | 20.000 | 2500 | 3d | ||||||||
| Newark | STD70N10F4 | 8.359 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD70N10F4 | 1.874 | 8 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD70N10F4 | 1.874 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-8806-1-ND | 2.403 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-08-26
LTD Date2027-02-26
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75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD70N10F4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:125W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance19.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max19.5 mΩ
Resistance19.5 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant