onsemi FDD8880
$ 0.376
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.48%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDD8880.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi FDD8880 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.376
$ 0.481
$ 0.481
Stock
1,513,082
258,470
258,470
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
35 A
35 A
35 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
9 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
-
Power Dissipation
55 W
-
-
Input Capacitance
1.26 nF
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FDD8880 fornecidas pelos seus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 58A, 9mΩ
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),TO-252AA
N-Channel 30 V 58 A 9 mOhm PowerTrench Mosfet TO-252AA
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK / Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.48%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating58 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.26 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time91 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDD8880.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade