Vishay SUD50N03-06AP-E3
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VishaySUD19P06-60L-E3
2.7W(Ta),46W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1P 60V 60m¦¸@ 10A,10V 19A 1.71nF@25V TO-252AA 2.39mm
Descrições
Descrições de Vishay SUD50N03-06AP-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 5.7 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-Channel MOSFETs 30V 90A 83W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:10W
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation10 W
Rds On Max5.7 mΩ
Resistance5.7 mΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade