Vishay SIA446DJ-T1-GE3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN15H310SK3-13
MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 / N-Channel 150 V 8.3A (Tc) 32W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Descrições
Descrições de Vishay SIA446DJ-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 150 V 177 mOhm 19 W ThunderFET Mosfet PowerPAK-SC-70-6L
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
MOSFET, N CH, 150V, 7.7A, POWERPAK SC70
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 / N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 150V, 0.177ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 8nC@ 10 V 1N 150V 177m¦¸@ 3A,10V 7.7A 230pF@75V 2.05mm*2.05mm*750¦Ìm
PowerPAK SC-70-6L MOSFETs ROHS
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -53.09%
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance177 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max177 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm