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Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQD16N15TM.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Peças relacionadas
InfineonIRFR6215TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215TRRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Diodes Inc.DMN15H310SK3-13
32W(Ta) 20V 3V@250µA 8.7nC@10V N-Ch MOSFET 150V 310mΩ@1.5A,10V 8.3A 405pF@25V TO-252-3 SMD
Descrições
Descrições de onsemi FQD16N15TM fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 150V 11.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2.5W(Ta)，55W(Tc) 4V@ 250µA 30nC@ 10V 1individualNChannel 150V 160mΩ@ 5.9A,10V 910pF@25V DPAK SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 11.8A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.8 A
Current Rating11.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time115 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade