onsemi FDC86244
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLMS5703TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
InfineonIRF5803TRPBF
-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
Descrições
Descrições de onsemi FDC86244 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET, 150 V, 2.3 A, 144 mΩ
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT / Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
N-Channel 150 V 2.3 A 144 mOhm SuperSOT-6 Mosfet
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +8.50%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance144 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance345 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max144 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time4.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade