Infineon IRF6217TRPBF
$ 0.387
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6217TRPBF | 0 | 25 | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | IRF6217TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF6217TRPBF | 507 | >1wk | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF6217TRPBF | 18.000 | 1 | Tape & Reel | 2d | |||||||
| Win Source | WS-IRF6217 | 20.000 | 90 | 19h |
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Peças relacionadas
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
VishaySI4435DDY-T1-GE3
Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Infineon IRF6217TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 150 V 2.4 Ohm 9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 20V 5V@ 250¦ÌA 9nC@ 10 V 1P 150V 2.4¦¸@ 420mA,10V 700mA 150pF@25V SOIC-8 1.75mm
HEXFET Power MOSFET(Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters)
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-700mA; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):2.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:2.5W
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance2.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs20 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 Ω
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.4 Ω
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-5 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade