Vishay SI7464DP-T1-E3
$ 0.618
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI7464DP-T1-E3 | 2.099 | 1 | |||||||||
| Verical | SI7464DP-T1-E3 | 2.099 | 8 | |||||||||
| DigiKey | SI7464DP-T1-E3CT-ND | 1.069 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7464DP-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 18h | |||||||
| Avnet | SI7464DP-T1-E3 | 0 | 3K | 4d |
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Tendência de 3 meses: -13.91%
Modelos CAD
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1 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Esta peça
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Price @ 1000
$ 0.618
$ 0.933
Stock
89,060
79,911
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
240 mΩ
240 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay SI7464DP-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SI7464DP-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.8 A, 200 V, 8-PIN SOIC
Trans MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Pb- Free N-Ch PowerPAK SO-8 Mosfet
RS APAC
N-CH POWERPAK SO-8 200V 240MOHM @ 10V<AZ
Vishay NMOS, Vds=200 V, 1.8 A, PowerPAK SO-8
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 6DSBGA
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -13.91%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max240 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade