Vishay SI7464DP-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7464DP-T1-GE3CT-ND | 2.752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Future Electronics | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| TTI Europe | SI7464DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 23h |
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
240 mΩ
240 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-
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1.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 18nC@ 10 V 1N 200V 240m¦¸@ 2.6A,10V 1.7A 1212 3.3mm*3.3mm*1.04mm
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Vishay SI7464DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
1.8W 20V 4V@ 250uA 18nC@ 10 V 4N 200V 240m¦¸@ 2.8A,10V 1.8A 6.15mm*5.15mm*1.04mm
N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
N-Ch 200-V (D-S) Fast Switching Mosf |Vishay SI7464DP-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max240 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade