Vishay SI4490DY-T1-E3
$ 1.396
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SI4490DY-T1-E3 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI4490DY-T1-E3CT-ND | 63 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4490DY-T1-E3 | 0 | 2500 | 9h | ||||||||
| TTI | SI4490DY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Newark | SI4490DY-T1-E3 | 0 | 2500 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | SímboloPegada | Baixar |
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Price @ 1000
$ 1.396
$ 1.261
Stock
125,083
89,023
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
2.85 A
2.85 A
Threshold Voltage
2 V
2 V
Rds On Max
80 mΩ
80 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.56 W
-
Input Capacitance
-
-
Descrições
Descrições de Vishay SI4490DY-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.08 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4490DY-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.8 A, 200 V, 8-PIN SOIC
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.85 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.56 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade