STMicroelectronics STP3N80K5
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP3N80K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 800 V 3.5 O 60 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
STP3N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 800 V, 3-PIN TO-220
N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=800 V, 2.5 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 2.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP3N80K5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -7.89%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant