STMicroelectronics STF4N80K5
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF4N80K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF4N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 800 V, 3-PIN TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 800V, 3A, 150Deg C, 20W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF4N80K5
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=800 V, 3 A, TO-220FP, , 3
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance175 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant