onsemi FCPF2250N80Z
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Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FCPF2250N80Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
21.9W(Tc) 20V 4.5V@ 260¦ÌA 14nC@ 10V 1individualNChannel 800V 2.25¦¸@ 1.3A,10V 2.6A 585pF@100V TO-220F Through hole mounting 10.36mm*4.9mm*16.07mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance2.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance585 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation21.9 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.25 Ω
Resistance2.25 Ω
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade