STMicroelectronics STP11NM60
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
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N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
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N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP11NM60 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.4 Ohm, 11 A, TO-220, TO-220FP MDmesh(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
160W(Tc) 25V 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 450mΩ@ 5.5A,10V 11A 1nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +118%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length31.75 mm
Width12.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant