STMicroelectronics STP15NM65N
$ 2.16
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFCP380N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP15NM65N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STP15NM65N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
12 A 650 V 0.38 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 710V, 12A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance983 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time55.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant