onsemi FDP12N60NZ
$ 1.242
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDP12N60NZ | 1 | 544 | 7h | ||||||||
| Flip Electronics | FDP12N60NZ | 1 | >1wk | |||||||||
| Farnell | FDP12N60NZ. | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Win Source | WS-FDP12N60NZ | 407 | 25 | 6h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDP12N60NZ | 7.447 | 7 | Tube | 1d |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDP12N60NZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 34 nC 240 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220-3
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MOSFET,N CH,600V,12A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:240W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance650 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.676 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation240 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation240 W
Rds On Max650 mΩ
Rise Time50 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade