onsemi NTMD4N03R2
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Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Stock
110,849
1,332,347
Authorized Distributors
2
6
Mount
-
-
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
-
400 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonBSL606SNH6327XTSA1
2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1N 60V 60m¦¸@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 , 3mm*1.5mm*1.1mm
Diodes Inc.ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Descrições
Descrições de onsemi NTMD4N03R2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-CHANNEL SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 8 EAR99 Mosfet Array 4A 2W 30V 0.06Ohm
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 4A N-Channel No-Cancel/No-Return
TRANS MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC N
4 A 30 V 0.06 ohm 2 CHANNEL N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade