onsemi NTMD4N03R2G
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Stock
1,286,572
64,770
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
60 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
400 pF
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiNTMD4884NFR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Dual Mosfet Transistor 3.3A Ta 5.7A 2.3W 1.4ns
Diodes Inc.DMP3050LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 4.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3050LSS-13
Descrições
Descrições de onsemi NTMD4N03R2G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTMD4N03R2G DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 30 V, 8-PIN SOIC
N-Channel 30 V 48 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8
30 VOLTS, 4 AMPS, N-CHANNEL SO-8 DUAL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 4A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.9V
N Channel Mosfet, 30V, 4A, Soic, Full Reel; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:4A; Continuous Drain Current Id P Channel:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMD4N03R2G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance48 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade