Vishay SI3457CDV-T1-E3
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI3457CDV-T1-E3 | 27 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI3457CDV-T1-E3CT-ND | 25.112 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI3457CDV-T1-E3 | 0 | 3K | 18h | ||||||||
| TTI | SI3457CDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Newark | SI3457CDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
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1,457,216
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
5.1 A
5.1 A
Threshold Voltage
-
-1 V
Rds On Max
74 mΩ
74 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
450 pF
450 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
NXP SemiconductorsPMN38EN,135
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI3456DDV-T1-E3
Single N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Descrições
Descrições de Vishay SI3457CDV-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 74 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
3W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 15nC@ 10 V 1P 30V 74m¦¸@ 4.1A,10V 5.1A 450pF@15V TSOP-6 3.05mm*1.65mm*1.1mm
P-Channel 30-V (D-S) Mosfet |Vishay SI3457CDV-T1-E3
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
P-CH 30V 5,1A 74mOhm@10V TSOP-6
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance74 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max74 mΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade