onsemi MMBT5089
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3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
50 mA
50 mA
50 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
400
400
400
Power Dissipation
350 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC848C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC848A-7-F
BC848A Series 30 V 100 mA NPN Surface Mount Small Signal Transistor - SOT23
Descrições
Descrições de onsemi MMBT5089 fornecidas pelos seus distribuidores.
BIPOLAR (BJT) SINGLE TRANSISTOR, NPN, 25 V, 50 MHZ, 350 MW, 100 MA, 400 ROHS COMPLIANT: YES
MMBT5089 Series 25 V CE Breakdown 0.1 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23
MMBT5089,@ TRANSISTOR, MMBT508 9, 1R, SOT-23 NPN SILICON 25V
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
NPN Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 400hFE; T
This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1 µA to 50 mA.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min400
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade